本发明提供了一种CMOS结构及其制造方法，包括：衬底；器件隔离区，所述器件隔离区将衬底分隔成第一区域和第二区域；所述第一区域中包括第一、第二鳍片，第一源区、第一漏区分别位于第一、第二鳍片顶部区域，构成具有U型沟道的NMOS结构；所述第二区域中包括第三、第四鳍片，第二源区、第二漏区分别位于第三、第四鳍片顶部区域，构成具有U型沟道的PMOS结构；栅极叠层；隔离区。本发明在现有FinFET工艺的基础上提出了一种新的器件结构，使器件的栅长不受footprint尺寸限制，有效地解决了短沟道效应所带来的问题。