本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第一区域和第二区域的第二半导体层上形成器件结构；刻蚀第一区域的器件结构两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔腐蚀去除第一区域的至少栅极下的第一半导体层，以形成空腔，仅剩余隔离结构附近的第一半导体层；在空腔及刻蚀孔中填充介质材料。本发明可以实现通过体衬底实现绝缘体上硅器件，同时，埋氧层的厚度可以通过形成的第一半导体层的厚度来调节，满足不同器件的需求，工艺简单易行，且该工艺易于同体衬底器件集成。