本发明公开了一种鳍式场效应晶体管源漏区的制造方法，包括：提供衬底，衬底中形成有相互隔离的鳍；进行源漏区外延前的前烘，以去除鳍上源漏区的自然氧化层，并在前烘的腔室中对源漏区进行回流；进行源漏区的外延生长。本发明提高外延层在源漏区的比例，为沟道提供更大的应力。同时，回流后鳍的原子重新排列，降低了鳍中的缺陷，提高了后续外延层的质量。