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鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法

文献类型:专利

作者秦长亮; 殷华湘; 李俊峰; 赵超
发表日期2018-09-11
专利号CN201410681972.1
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

本发明公开了一种鳍式场效应晶体管鳍的制造方法,包括:提供衬底,衬底中形成有相互隔离的鳍;进行鳍外延前的前烘,以去除鳍上的自然氧化层,并在前烘的腔室中对鳍进行回流;在鳍上生长外延层。本发明中,回流后使得鳍的高度降低,沟道区原有的掺杂残留会下移至鳍的下部,重新生长的外延层作为部分或新的沟道,具有更好的器件特性。

公开日期2016-06-22
申请日期2014-11-24
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18837]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
秦长亮,殷华湘,李俊峰,等. 鳍上外延沟道、鳍式场效应晶体管的制造方法. CN201410681972.1. 2018-09-11.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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