本发明提出了一种鳍结构的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有硅鳍；在硅鳍表面上形成孔；在硅鳍上形成外延层，该外延层为III族或V族的半导体材料。本发明中孔使得鳍的部分晶格发生变形，在其上形成不同族的外延层后，可以吸收部分由于晶格不匹配造成的应力，释放鳍与外延层间的应力。