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半导体器件及其制造方法

文献类型:专利

作者马小龙; 殷华湘; 付作振
发表日期2018-09-14
专利号CN201210293525.X
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类发明专利
英文摘要

 本发明公开了一种半导体器件,包括衬底、衬底上的栅极堆叠结构、栅极堆叠结构两侧衬底中的源漏区、衬底中源漏区之间的沟道区,其特征在于:源漏区中的源区包括GeSn合金,并且源区的GeSn合金与沟道区之间可选地还包括隧穿介质层。依照本发明的半导体器件及其制造方法,通过选择性外延或者注入前驱物然后激光快速退火,形成了具有窄带隙的GeSn合金,有效提高了TFET的开态电流,在高性能低功耗应用中具有重要应用前景。

公开日期2014-02-19
申请日期2012-08-16
语种中文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/18839]  
专题微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
马小龙,殷华湘,付作振. 半导体器件及其制造方法. CN201210293525.X. 2018-09-14.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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