本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成半导体器件；在半导体器件上形成保护层，保护层材质为具有张应力的氮化硅；对半导体器件执行退火；采用HF基腐蚀液湿法去除保护层。依照本发明的半导体器件制造方法，通过采用HF湿法腐蚀张应力氮化硅材质的保护层，能避免栅极侧墙和/或硬掩模层的氮化硅受到侵蚀，有效提高器件性能以及可靠性。