本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：提供SOI衬底，包括基底、埋氧层和顶层；在顶层中刻蚀形成栅极沟槽；在栅极沟槽中形成衬垫层和填充层；刻蚀填充层、衬垫层以及顶层，形成暴露埋氧层的开口，开口内的顶层构成有源区，栅极沟槽底部的顶层构成沟道区；在开口中填充绝缘材料形成浅沟槽隔离。依照本发明的半导体器件制造方法，在SOI顶层中刻蚀形成栅极沟槽并限定了下方的沟道区，填充栅极沟槽之后限定有源区和浅沟槽隔离，由此形成了超薄SOI半导体器件，实现了器件的小型化，提高了器件性能。