一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂的多晶半导体构成；沟道区，多个鳍片结构中位于栅极堆叠结构下方；源漏区，在多个鳍片结构上、位于栅极堆叠结构沿第一方向两侧。依照本发明的半导体器件及其制造方法，在后栅工艺中对多晶半导体栅极掺杂后与两侧源漏区同步执行退火以驱动掺杂剂均匀分布，能有效提高对于掺杂多晶半导体栅极调节阈值电压的精度，以低成本抑制短沟道效应。