本发明公开了一种半导体器件，包括：多个鳍片，在衬底上沿第一方向延伸；顶栅极，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片；源漏区，位于顶栅极两侧的鳍片上；沟道区，位于源漏区之间；体栅极，位于多个鳍片之间并且位于顶栅极下方，沿第二方向延伸。依照本发明的半导体器件及其制造方法，依照本发明的半导体器件及其制造方法，采用额外的体栅极，控制了源区和漏区之间由于鳍片底部造成的泄漏电流，减小了结泄漏电流同时还减小了结电容，提高了器件可靠性。