本发明公开了一种堆叠式围栅纳米线器件假栅电极制备方法，包括：在半导体衬底上形成堆叠纳米线结构，所述纳米线结构包括至少一层纳米线，所述纳米线结构的两端通过支撑衬垫与半导体衬底连接；在所述纳米线结构上淀积栅介质层和假栅电极材料层；在所述假栅电极材料层上形成假栅掩模图形；在所述假栅掩模图形保护下对所述假栅电极材料层进行第一刻蚀，直至所述纳米线结构中最上层纳米线上的栅介质层露出；对剩余的假栅电极材料层进行第二刻蚀，直至半导体衬底上最底部的栅介质层露出。