半导体器件及其制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 许静; 闫江; 陈邦明; 王红丽; 唐波; 唐兆云; 徐烨锋; 李春龙; 杨萌萌 |
| 发表日期 | 2014-07-16 |
| 专利号 | CN201410340104.7 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | 本发明提供了一种半导体器件，包括：第一区域具有：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为第一器件形成区域；第一隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位于第三半导体层的源漏区域之下、第一隔离结构与第二半导体层端部之间；第二区域具有：衬底；衬底之上的第二器件；第二隔离结构，位于第二器件两侧的衬底上。本发明的器件具有低成本、漏电小、功耗低、速度快、工艺较为简单且集成度高的特点。同时，与SOI器件相比，消除了浮体效应和自热效应。此外，空腔处较低的介电常数，使得其可承受较高的电压。 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18871]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 许静,闫江,陈邦明,等. 半导体器件及其制造方法. CN201410340104.7. 2014-07-16. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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