平坦化处理方法
文献类型：专利
| 作者 | 朱慧珑 ; 罗军; 李春龙; 邓坚; 赵超
|
| 发表日期 | 2018-09-04 |
| 专利号 | US10068803 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | A planarization process is disclosed. The method includes forming a trench in an area of a material layer which has a relatively high loading condition for sputtering. The method further includes sputtering the material layer to make the material layer flat. |
| 公开日期 | 2015-09-17 |
| 申请日期 | 2015-05-27 |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18897]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱慧珑,罗军,李春龙,等. 平坦化处理方法. US10068803. 2018-09-04. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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