METHOD and arrangment for reducing contact resistance of two-dimensional cyrstal material
文献类型：专利
| 作者 | Jia KP(贾昆鹏) ; Su YJ(粟雅娟); Zhu HL(朱慧珑); Zhao C(赵超)
|
| 发表日期 | 2018-11-27 |
| 专利号 | US10141408 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 发明专利 |
| 英文摘要 | A method and an arrangement for reducing a contact resistance of a two-dimensional crystal material are provided. An example method may include forming a contact material layer on a two-dimensional crystal material layer; performing ion implantation; and performing thermal annealing. |
| 公开日期 | 2014-12-31 |
| 申请日期 | 2014-03-18 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18904]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Jia KP,Su YJ,Zhu HL,et al. METHOD and arrangment for reducing contact resistance of two-dimensional cyrstal material. US10141408. 2018-11-27. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。