Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang WW(王文武) ; jing Zhang; Xu QX(徐秋霞); Li YL(李永亮)
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| 刊名 | ECS Journal of Solid State Science and Technology
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| 出版日期 | 2018-08-04 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19072]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang WW,jing Zhang,Xu QX,et al. Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration[J]. ECS Journal of Solid State Science and Technology,2018. |
| APA | Wang WW,jing Zhang,Xu QX,&Li YL.(2018).Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration.ECS Journal of Solid State Science and Technology. |
| MLA | Wang WW,et al."Dry Etching of Metal Inserted Poly-Si Stack for Dual High-k and Dual Metal Gate Integration".ECS Journal of Solid State Science and Technology (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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