Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li YL(李永亮) ; Wang WW(王文武); Xu QX(徐秋霞)
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| 刊名 | Chinese Physics B
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| 出版日期 | 2018-08-28 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19073]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li YL,Wang WW,Xu QX. Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration[J]. Chinese Physics B,2018. |
| APA | Li YL,Wang WW,&Xu QX.(2018).Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration.Chinese Physics B. |
| MLA | Li YL,et al."Key technologies for dual high-k and dual metal gate integration".Chinese Physics B (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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