Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies
文献类型：期刊论文
| 作者 | Mao SJ(毛淑娟) ; Wang GL(王桂磊); Xu J(许静); Zhang D(张丹); Luo X(罗雪); Wang WW(王文武); Chen DP(陈大鹏); Li JF(李俊峰); Dou AY(都安彦); Zhao C(赵超)
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| 刊名 | Microelectronic Engineering
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| 出版日期 | 2018-09-30 |
| 关键词 | TiSixGey Ge PAI Si Ge |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19092]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Mao SJ,Wang GL,Xu J,et al. Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies[J]. Microelectronic Engineering,2018. |
| APA | Mao SJ.,Wang GL.,Xu J.,Zhang D.,Luo X.,...&Jun Luo.(2018).Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies.Microelectronic Engineering. |
| MLA | Mao SJ,et al."Improved Ti germanosilicidation by Ge pre-amorphization implantation (PAI) for advanced contact technologies".Microelectronic Engineering (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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