Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate
文献类型：期刊论文
| 作者 | Liu S(刘实) ; Li JF(李俊峰); Wang WW(王文武); Chen DP(陈大鹏); Zhao C(赵超); Ye TC(叶甜春); Luo J(罗军); Wang GL(王桂磊); Xu J(许静); Luo X(罗雪)
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| 刊名 | Japanese Journal of Applied Physics
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| 出版日期 | 2018-06-07 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19183]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu S,Li JF,Wang WW,et al. Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate[J]. Japanese Journal of Applied Physics,2018. |
| APA | 刘实.,李俊峰.,王文武.,陈大鹏.,赵超.,...&毛淑娟.(2018).Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate.Japanese Journal of Applied Physics. |
| MLA | 刘实,et al."Impact of Ge pre-amorphization implantation on forming ultrathin TiGe x on both n-and p-Ge substrate".Japanese Journal of Applied Physics (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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