Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy
文献类型：期刊论文
| 作者 | Li JF(李俊峰) ; Liu RW(刘瑞文); Shang HP(尚海平); Chen DP(陈大鹏); Wang WB(王玮冰); Fu JY(傅剑宇); Xiong WJ(熊文娟); Wang WW(王文武)
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| 刊名 | Materials Science in Semiconductor Processing
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| 出版日期 | 2018-08-29 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19190]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Li JF,Liu RW,Shang HP,et al. Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy[J]. Materials Science in Semiconductor Processing,2018. |
| APA | 李俊峰.,刘瑞文.,尚海平.,陈大鹏.,王玮冰.,...&王文武.(2018).Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy.Materials Science in Semiconductor Processing. |
| MLA | 李俊峰,et al."Low atomic number silicon nitride films for transmission electron microscopy".Materials Science in Semiconductor Processing (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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