Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhao C(赵超) ; Ye TC(叶甜春); Yang H(杨红); Tang B(唐波); Xu H(徐昊); Zhou LD(周龙达); Luo WC(罗维春); Eddy Simoen; Yin HX(殷华湘); Zhu HL(朱慧珑)
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| 刊名 | IEEE Electron Device Letter
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| 出版日期 | 2018-08-15 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19191]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhao C,Ye TC,Yang H,et al. Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface[J]. IEEE Electron Device Letter,2018. |
| APA | 赵超.,叶甜春.,杨红.,唐波.,徐昊.,...&王文武.(2018).Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface.IEEE Electron Device Letter. |
| MLA | 赵超,et al."Impact of ALD TiN Capping Layer on Interface".IEEE Electron Device Letter (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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