Improvement of Operation Characteristics for MONOS Charge Trapping Flash Memory with SiGe Buried Channel
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yin HX(殷华湘) ; Wang GL(王桂磊); Hou CZ(侯朝昭); Yao JX(姚佳欣); Zhang QZ(张青竹)
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| 刊名 | Chinese Physics letters
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| 出版日期 | 2018-04-30 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19193]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yin HX,Wang GL,Hou CZ,et al. Improvement of Operation Characteristics for MONOS Charge Trapping Flash Memory with SiGe Buried Channel[J]. Chinese Physics letters,2018. |
| APA | 殷华湘,王桂磊,侯朝昭,姚佳欣,&张青竹.(2018).Improvement of Operation Characteristics for MONOS Charge Trapping Flash Memory with SiGe Buried Channel.Chinese Physics letters. |
| MLA | 殷华湘,et al."Improvement of Operation Characteristics for MONOS Charge Trapping Flash Memory with SiGe Buried Channel".Chinese Physics letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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