In-memory Direct Processing based on Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wei JQ(魏家琦); Cui HS(崔虎山); He XB(贺晓彬) ; Li JJ(李俊杰); Zhao C(赵超); Weisheng Zhao; Cao KH(曹凯华); Wenlong Cai; Yizheng liu; Huisong Li
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| 刊名 | Nanoscale
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| 出版日期 | 2018-10-22 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19199]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wei JQ,Cui HS,He XB,et al. In-memory Direct Processing based on Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions[J]. Nanoscale,2018. |
| APA | Wei JQ.,Cui HS.,He XB.,Li JJ.,Zhao C.,...&Huisong Li.(2018).In-memory Direct Processing based on Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions.Nanoscale. |
| MLA | Wei JQ,et al."In-memory Direct Processing based on Nanoscale Perpendicular Magnetic Tunnel Junctions".Nanoscale (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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