Voltage-Controlled Magnetic Tunnel Junctions for Processing-In-Memory Implementation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Yangqi Huang; Zhao C(赵超) ; Kang L.Wang; Weisheng Zhao; Wang LZ(王乐知); Wang Kang; Farbod Ebrahimi; Xiang Li
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| 刊名 | IEEE Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2018-01-06 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19200]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Yangqi Huang,Zhao C,Kang L.Wang,et al. Voltage-Controlled Magnetic Tunnel Junctions for Processing-In-Memory Implementation[J]. IEEE Electron Device Letters,2018. |
| APA | Yangqi Huang.,Zhao C.,Kang L.Wang.,Weisheng Zhao.,Wang LZ.,...&Xiang Li.(2018).Voltage-Controlled Magnetic Tunnel Junctions for Processing-In-Memory Implementation.IEEE Electron Device Letters. |
| MLA | Yangqi Huang,et al."Voltage-Controlled Magnetic Tunnel Junctions for Processing-In-Memory Implementation".IEEE Electron Device Letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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