锗基pMOSFET迁移率的栅电荷库伦散射研究
文献类型：学位论文
| 作者 | 周丽星 |
| 答辩日期 | 2019-05-19 |
| 文献子类 | 博士 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 导师 | 王文武 |
| 学位专业 | 微电子学与固体电子学 |
| 源URL | [http://ir.ime.ac.cn/handle/172511/19365]  |
| 专题 | 微电子研究所_集成电路先导工艺研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周丽星. 锗基pMOSFET迁移率的栅电荷库伦散射研究[D]. 中国科学院大学. 2019. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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