1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张海英; 戴志伟; 杨浩; 郑新年 |
| 刊名 | 半导体技术
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| 出版日期 | 2014-05-07 |
| 英文摘要 | 设计与实现了一款两级pHEMT单片微波集成低噪声放大器。考虑到实际片上无源电感的性能（低Q值），最优噪声匹配往往不能获得最好的噪声性能，相反因为输入电感的存在会增加芯片的面积。本次设计旨在选择合适的输入晶体管，以取消输入电感的使用和减小芯片的面积。经过优化设计，最终的芯片面积为0.8mm×0.8mm。设计完成的放大器在3.4GHz~3.6GHz频段范围内实现了1.1dB的噪声系数，以及25.8dB的小信号增益，带内回波损耗最大值为-16.5dB。在回波损耗小于-10dB范围内，电路带宽拓展到2.8GHz~4.7GHz，此时增益最小值为20dB，噪声最大值为1.3dB。 |
| 公开日期 | 2015-04-24 |
| 源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/12710]  |
| 专题 | 微电子研究所_健康电子研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海英,戴志伟,杨浩,等. 1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器[J]. 半导体技术,2014. |
| APA | 张海英,戴志伟,杨浩,&郑新年.(2014).1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器.半导体技术. |
| MLA | 张海英,et al."1.1dB噪声系数的单片微波集成低噪声放大器".半导体技术 (2014). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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