4-bit Ka band SiGe BiCMOS digital step attenuator
文献类型：期刊论文
| 作者 | Wang MH(王明华); Li ZQ(李志强) ; Zhang HY(张海英); MUHAMMAD MASOOD SARFRAZ; Liu Y(刘昱); ULLAH FARMAN
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| 刊名 | Progress In Electromagnetics Research C
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| 出版日期 | 2017-05-09 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18040]  |
| 专题 | 微电子研究所_健康电子研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Wang MH,Li ZQ,Zhang HY,et al. 4-bit Ka band SiGe BiCMOS digital step attenuator[J]. Progress In Electromagnetics Research C,2017. |
| APA | Wang MH,Li ZQ,Zhang HY,MUHAMMAD MASOOD SARFRAZ,Liu Y,&ULLAH FARMAN.(2017).4-bit Ka band SiGe BiCMOS digital step attenuator.Progress In Electromagnetics Research C. |
| MLA | Wang MH,et al."4-bit Ka band SiGe BiCMOS digital step attenuator".Progress In Electromagnetics Research C (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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