基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器
文献类型：期刊论文
| 作者 | 张海英 ; 刘昱; 郑岩; 李志强; 黄水龙
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| 刊名 | 微电子学与计算机
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| 出版日期 | 2017-02-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 英文摘要 | 基于ＩＢＭＳＯＩ－０．１８μｍＣＭＯＳ工艺，实现了高 ＰＡＥ 的 Ｃｌａｓｓ－Ｅ功率放大器．此放大器由两级构成．在输出级采用了负电容技术，抵消寄生电容，提高效率．输 出 级 的 共 栅 管 采 用 自 偏 置，防 止 晶 体 管 被 击 穿．驱动级采用Ｃｌａｓｓ－Ｅ结构，使得输出级能更好地实现开与关．两 级 之 间 使 用 了 改 善 输 出 级 电 压 和 电 流 交 叠 的 网 络．通过使用这些技术，在２．８Ｖ 电源电压下，功率放大器工作在２．４ＧＨｚ的时候，输出功率为２３．４４ｄＢｍ，ＰＡＥ 为５８．９９％． |
| 语种 | 中文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/18045]  |
| 专题 | 微电子研究所_健康电子研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 张海英,刘昱,郑岩,等. 基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器[J]. 微电子学与计算机,2017. |
| APA | 张海英,刘昱,郑岩,李志强,&黄水龙.(2017).基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器.微电子学与计算机. |
| MLA | 张海英,et al."基于SOI-0.18 μm高PAE CMOS Class-E功率放大器".微电子学与计算机 (2017). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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