基于 IBM SOI 0. 18 μm CMOS 工艺，设计了一种高功率附加效率( PAE) 的 E 类功率放大器，由驱动级和输出级两级构成。驱动级采用 E 类结构， 使输出级能更好地实现开与关。输出级采用电感谐振寄生电容，提高了效率。输出级的共栅管采用自偏置的方式，防止晶体管被击穿。两级之间使用了改善输出级电压和电流交叠的网络。仿真结果表明，在 2. 8 V 电源电压下，工作频率为 2. 4 GHz 时，功率放大器的输出功率为 23. 17 dBm，PAE 为 57. 7%。