一种IGBT器件及其形成方法
文献类型：专利
| 作者 | 谈景飞; 王波; 张文亮; 朱阳军; 褚为利 |
| 发表日期 | 2012-11-29 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT器件及其形成方法，所述IGBT器件包括：半导体衬底、基区、栅极结构、发射极和集电极。其中，所述栅极结构包括U型部分和水平部分，所述栅极结构的U型部分贯穿所述基区，所述栅极结构的水平部分覆盖部分所述基区的上表面，并与所述栅极结构的U型部分为一体结构；所述发射极形成于所述栅极结构U型部分两侧的基区内，且与所述栅极结构的U型部分不接触，从而使得本发明所提供的IGBT器件具有制作工艺难度低，饱和导通压降低，抗闩锁能力强，饱和电流小等优点。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16554]  |
| 专题 | 微电子研究所_新技术开发部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 谈景飞,王波,张文亮,等. 一种IGBT器件及其形成方法. 2012-11-29. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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