IGBT器件及其制作方法
文献类型：专利
| 作者 | 褚为利; 张文亮; 王波; 朱阳军; 谈景飞 |
| 发表日期 | 2012-09-10 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明实施例公开了一种IGBT器件，包括：衬底和位于衬底正面的栅极结构和源极结构，位于所述衬底背面的集电极结构和调整栅结构，其中，所述集电极结构和调整栅结构在所述衬底背面相间分布，且二者之间绝缘。在器件的开关状态下，调整栅结构的电压高于集电区电压，则在所述调整栅区域上方会形成一层电子富集的区域，使所述IGBT器件在一定的击穿电压下，载流子在衬底内的漂移区厚度更薄，器件的关断拖尾电流较小，降低了器件在开关状态下的关断损耗；在器件的导通状态下，调整栅结构的电压低于集电区电压，则在所述调整栅结构区域上方会形成一层空穴富集的区域，增加了集电区宽度和载流子浓度，降低了器件在导通状态下的导通损耗。 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16555]  |
| 专题 | 微电子研究所_新技术开发部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 褚为利,张文亮,王波,等. IGBT器件及其制作方法. 2012-09-10. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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