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一种带隙基准电路

文献类型:专利

作者冷永清; 邱昕; 张立军; 陈仙红
发表日期2017-09-01
专利号CN201621133556.9
著作权人中国科学院微电子研究所
国家中国
文献子类实用新型
英文摘要

本实用新型提供一种带隙基准电路。所述电路包括:一阶温度补偿电路、运算放大器电路和输出电路,所述运算放大器电路包括偏置电路、输入PMOS差动对、输出电流源;所述输入PMOS差动对的两输入管M8及M9为PMOS管,所述输入管M8及M9的源极连接所述偏置电路的输出端,输入管M8的栅极连接所述运算放大器的反相输入端,漏极连接所述输出电流源中的第一电流源的输入端,输入管M9的栅极连接所述运算放大器的同相输入端,漏极连接所述输出电流源中的第二电流源的输入端。本实用新型能够解决传统带隙基准电路上电不能正常工作的问题,而不需要附加的启动电路。

申请日期2016-10-18
语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/17786]  
专题微电子研究所_通信与信息工程研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
冷永清,邱昕,张立军,等. 一种带隙基准电路. CN201621133556.9. 2017-09-01.

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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