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小尺寸器件的金属栅平坦化新技术

文献类型:期刊论文

作者赵超; 张月; 张青竹; 秦长亮; 张严波; 朱慧珑; 张永奎; 赵治国
刊名真空科学与技术学报
出版日期2016-09-01
文献子类期刊论文
英文摘要

随着高k金属栅工程在45纳米技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30纳米以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属栅反应离子刻蚀(RIE) + 介质再沉积 + 化学机械平坦化(CMP)的技术,能够有效对金属栅极进行平坦化,且能避免金属栅极平坦化过程中较大面积区域的“金属过蚀”现象。

语种中文
源URL[http://159.226.55.106/handle/172511/16102]  
专题微电子研究所_存储器研发中心
作者单位中国科学院微电子研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
赵超,张月,张青竹,等. 小尺寸器件的金属栅平坦化新技术[J]. 真空科学与技术学报,2016.
APA 赵超.,张月.,张青竹.,秦长亮.,张严波.,...&赵治国.(2016).小尺寸器件的金属栅平坦化新技术.真空科学与技术学报.
MLA 赵超,et al."小尺寸器件的金属栅平坦化新技术".真空科学与技术学报 (2016).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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