Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | 存储器研发中心; Huo ZL(霍宗亮); Fu LY(付丽银); Jin L(靳磊); Jiang DD(姜丹丹) |
| 刊名 | Integrated Ferroelectrics
 |
| 出版日期 | 2016-05-06 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16103]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 存储器研发中心,Huo ZL,Fu LY,et al. Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory[J]. Integrated Ferroelectrics,2016. |
| APA | 存储器研发中心,霍宗亮,付丽银,靳磊,&姜丹丹.(2016).Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory.Integrated Ferroelectrics. |
| MLA | 存储器研发中心,et al."Investigation of tunneling layer and inter-gate-dielectric engineered TaN floating gate memory".Integrated Ferroelectrics (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。