A Low Voltage SRAM Sense Amplifier with Offset Cancelling Using Digitized Multiple Body
文献类型：期刊论文
| 作者 | 存储器研发中心; Hei Y(黑勇) ; Yuan J(袁甲); Cai JZ(蔡江铮); Liu BY(刘冰燕)
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| 刊名 | IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs
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| 出版日期 | 2016-05-05 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16104]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 存储器研发中心,Hei Y,Yuan J,et al. A Low Voltage SRAM Sense Amplifier with Offset Cancelling Using Digitized Multiple Body[J]. IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs,2016. |
| APA | 存储器研发中心,Hei Y,Yuan J,Cai JZ,&Liu BY.(2016).A Low Voltage SRAM Sense Amplifier with Offset Cancelling Using Digitized Multiple Body.IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs. |
| MLA | 存储器研发中心,et al."A Low Voltage SRAM Sense Amplifier with Offset Cancelling Using Digitized Multiple Body".IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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