应用于超低电压下的ＳＲＡＭ 存储单元设计
文献类型：期刊论文
| 作者 | 存储器研发中心; 黑勇; 蔡江铮; 刘冰燕 |
| 刊名 | 微电子学与计算机
 |
| 出版日期 | 2016-09-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16105]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 存储器研发中心,黑勇,蔡江铮,等. 应用于超低电压下的ＳＲＡＭ 存储单元设计[J]. 微电子学与计算机,2016. |
| APA | 存储器研发中心,黑勇,蔡江铮,&刘冰燕.(2016).应用于超低电压下的ＳＲＡＭ 存储单元设计.微电子学与计算机. |
| MLA | 存储器研发中心,et al."应用于超低电压下的ＳＲＡＭ 存储单元设计".微电子学与计算机 (2016). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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