Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier
文献类型：会议论文
| 作者 | Huo ZL(霍宗亮) ; Tang ZY(唐兆云); Zhang Y(张瑜); Zou XQ(邹兴奇); Chen GX(陈国星); Xia ZL(夏志良); Jin L(靳磊); Jiang DD(姜丹丹)
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| 出版日期 | 2016-09-01 |
| 文献子类 | 会议论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/172511/16298]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huo ZL,Tang ZY,Zhang Y,et al. Performance Enhancement of Metal Floating Gate Memory By Using a Bandgap Engineered High-k Tunneling Barrier[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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