本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，在共源区与其下方的衬底之间嵌入了隔离结构，其能够在进行共源区注入时抑制杂质产生不期望的扩散，避免了由于杂质过度扩散而引起的操作失效；在三维存储器件编程和读状态时候，电子从共源区向位线流动，而在擦除时，空穴从衬底注入，由于隔离结构的存在，三维存储器件实现了编程/擦除时候需要的电子和空穴在空间上的分离，提高了擦写的效率，也有利于提高集成度。