三维半导体器件及其制造方法
文献类型:专利
作者 | 叶甜春; 霍宗亮 |
发表日期 | 2018-09-18 |
专利号 | CN201510680212.3 |
著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
国家 | 中国 |
文献子类 | 发明专利 |
英文摘要 | 一种三维半导体器件,包括多个存储单元,每个包括:沟道层,沿垂直于衬底表面方向分布;底部栅极导电层,位于第一绝缘层堆叠中,分布在沟道层的侧壁上;浮栅层,位于第一绝缘层堆叠之上,分布在沟道层侧壁上;多个第二绝缘层与多个栅极导电层,位于浮栅层之上,沿着沟道层侧壁交替层叠;栅极介质层,分布在沟道层的侧壁上;漏极,位于沟道层顶部;以及源极,位于多个存储单元相邻两个存储单元之间衬底中。内嵌入非引出的浮栅,通过邻近引出栅级上电压的耦合在浮栅上感应出电压从而辅助完成SEG与多晶硅接触区域的沟道反型从而克服该区域的电流瓶颈,提高沟道电流,有效控制该浮栅邻近FET的阈值电压一致性。 |
公开日期 | 2016-02-24 |
申请日期 | 2015-10-19 |
语种 | 中文 |
源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/18728] |
专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
作者单位 | 中国科学院微电子研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶甜春,霍宗亮. 三维半导体器件及其制造方法. CN201510680212.3. 2018-09-18. |
入库方式: OAI收割
来源:微电子研究所
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