Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory
文献类型：会议论文
| 作者 | Huo ZL(霍宗亮); Liu LP(刘立芃); Xia ZL(夏志良); Yuan Y(袁野) |
| 出版日期 | 2018-08-15 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19166]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 作者单位 | 1.长江存储科技有限责任公司 2.中国科学院大学 3.中国科学院微电子研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huo ZL,Liu LP,Xia ZL,et al. Investigation of Reducing Bow during High Aspect Ratio Trench Etching in 3D NAND Flash Memory[C]. 见:. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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