Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Huo ZL(霍宗亮); Chen GX(陈国星); Zhang Y(张瑜); Jiang DD(姜丹丹); Jin L(靳磊); Zou XQ(邹兴奇) |
| 刊名 | IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
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| 出版日期 | 2018-02-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19264]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huo ZL,Chen GX,Zhang Y,et al. Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory[J]. IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,2018. |
| APA | 霍宗亮,陈国星,张瑜,姜丹丹,靳磊,&邹兴奇.(2018).Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory.IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS. |
| MLA | 霍宗亮,et al."Investigation of Cycling-Induced Dummy Cell Disturbance in 3D NAND Flash Memory".IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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