A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory
文献类型：期刊论文
| 作者 | Huo ZL(霍宗亮); An Zhang; Hongtao Liu; Zou XQ(邹兴奇); Jin L(靳磊); Zhang Y(张瑜) |
| 刊名 | IEEE Electron Device Letters
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| 出版日期 | 2018-07-01 |
| 文献子类 | 期刊论文 |
| 源URL | [http://159.226.55.107/handle/172511/19265]  |
| 专题 | 微电子研究所_存储器研发中心 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Huo ZL,An Zhang,Hongtao Liu,et al. A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory[J]. IEEE Electron Device Letters,2018. |
| APA | 霍宗亮,An Zhang,Hongtao Liu,邹兴奇,靳磊,&张瑜.(2018).A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory.IEEE Electron Device Letters. |
| MLA | 霍宗亮,et al."A Novel Program Scheme for Program Disturbance Optimization in 3-D NAND Flash Memory".IEEE Electron Device Letters (2018). |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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