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A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm

文献类型:期刊论文

作者Huo ZL(霍宗亮); Xu QK(徐启康); Wang Q(王颀); Li QH(李前辉)
刊名IEICE Electronics Express
出版日期2018-11-25
文献子类期刊论文
源URL[http://159.226.55.107/handle/172511/19268]  
专题微电子研究所_存储器研发中心
推荐引用方式
GB/T 7714
Huo ZL,Xu QK,Wang Q,et al. A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm[J]. IEICE Electronics Express,2018.
APA 霍宗亮,徐启康,王颀,&李前辉.(2018).A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm.IEICE Electronics Express.
MLA 霍宗亮,et al."A fast read retry method for 3D NAND flash memories using novel valley search algorithm".IEICE Electronics Express (2018).

入库方式: OAI收割

来源:微电子研究所

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