功率半导体器件的背面集电极结构
文献类型：专利
| 作者 | 吴凯; 徐承福; 邱颖斌; 朱阳军; 陈宏 |
| 发表日期 | 2013-01-14 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种功率半导体器件的背面集电极结构，按照本发明提供的技术方案，所述功率半导体器件的背面集电极结构，在N导电类型硅衬底的背面设有P导电类型氮化镓层，在P导电类型氮化镓层的背面设有集电极。本发明在器件的背面制作异质结结构提高注入效率，可以改善器件的导通压降，异质结界面缺陷较多，可以形成复合中心减少载流子寿命，改善关断特性。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/311049/15450]  |
| 专题 | 微电子研究所_成果转化部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吴凯,徐承福,邱颖斌,等. 功率半导体器件的背面集电极结构. 2013-01-14. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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