逆导IGBT器件及制造方法
文献类型：专利
| 作者 | 胡爱斌; 朱阳军; 徐承福 |
| 发表日期 | 2012-11-21 |
| 著作权人 | 中国科学院微电子研究所 |
| 文献子类 | 发明 |
| 英文摘要 | 本发明涉及一种逆导IGBT器件结构，包括第一导电类型漂移区，第一导电类型漂移区内设第二导电类型基区，第二导电类型基区上部设第一导电类型发射区；第二导电类型基区与第一导电类型漂移区上方设栅氧化层，在栅氧化层上设多晶栅，在多晶栅上设栅电极，在第二导电类型基区上设发射极；在、第一导电类型漂移区的背面设第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区，第一导电类型集电掺杂区位于第二导电类型集电区的一侧；在所述第一导电类型漂移区的背面淀积有第一集电金属区，第一集电金属区的一面覆盖第二导电类型集电区，第一集电金属区的另一面上淀积有第二集电金属区，第二集电金属区覆盖第二导电类型集电区和第一导电类型集电掺杂区。本发明实现了在较低温度获得较高的杂质激活率。 |
| 状态 | 公开 |
| 源URL | [http://159.226.55.106/handle/311049/15452]  |
| 专题 | 微电子研究所_成果转化部 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 胡爱斌,朱阳军,徐承福. 逆导IGBT器件及制造方法. 2012-11-21. |
入库方式： OAI收割
来源：微电子研究所
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