本实用新型公开了一种结终端延伸的终端版图结构，包括有源区，有源区内具有至少一个绝缘栅双极晶体管IGBT元包结构，元包结构为并联结构，有共同的发射极电极、集电极电极和栅极电极；包围有源区外围为至少一圈呈涡旋状的P型注入的窗口，每一圈注入窗口之间，从横截面看，间隔一定距离；通过注入窗口能够形成从横截面看相互独立的P型轻掺杂区，经过一定时间的高温退火后，P型轻掺杂区相互连接，能够形成从有源区到芯片的边沿区掺杂浓度逐渐降低，结深也逐渐降低的P型轻掺杂区。本实用新型还公开了三种结终端延伸的终端结构。本实用新型能够提高终端的耐压性和降低终端设计的复杂性。