Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers
文献类型：期刊论文
| 作者 | Chen, J ; Wang, X ; Wu, AM ; Zhang, B ; Wang, X ; Wu, YX ; Zhu, JJ ; Yang, H杨辉 |
| 刊名 | SOLID-STATE ELECTRONICS
 |
| 出版日期 | 2010 |
| 卷号 | 54期号:1页码:4-7 |
| 关键词 | FABRICATION SILICON MEMS NITRIDE |
| ISSN号 | 0038-1101 |
| 通讯作者 | Chen, J, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Engineering ; Electrical & Electronic; Physics ; Applied; Physics ; Condensed Matter |
| 收录类别 | SCI |
| 公开日期 | 2011-11-04 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/12156]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_新能源技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Chen, J,Wang, X,Wu, AM,et al. Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers[J]. SOLID-STATE ELECTRONICS,2010,54(1):4-7. |
| APA | Chen, J.,Wang, X.,Wu, AM.,Zhang, B.,Wang, X.,...&Yang, H杨辉.(2010).Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers.SOLID-STATE ELECTRONICS,54(1),4-7. |
| MLA | Chen, J,et al."Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers".SOLID-STATE ELECTRONICS 54.1(2010):4-7. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。