EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR
文献类型：期刊论文
| 作者 | Zhang, B ; Chen, J ; Wang, X ; Wu, AM ; Luo, JX ; Wang, X ; Zhang, MA ; Wu, YX ; Zhu, JJ ; Yang, H |
| 刊名 | MODERN PHYSICS LETTERS B
 |
| 出版日期 | 2009-01-01 |
| 卷号 | 23期号:15页码:1881-1887 |
| 关键词 | CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION LIGHT-EMITTING-DIODES SI(111) FILMS REDUCTION GROWTH SUBSTRATE STRESS |
| ISSN号 | 0217-9849 |
| 通讯作者 | Zhang, B, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied; Physics, Condensed Matter; Physics, Mathematical |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-11-04 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/12177]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_新能源技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Zhang, B,Chen, J,Wang, X,et al. EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR[J]. MODERN PHYSICS LETTERS B,2009,23(15):1881-1887. |
| APA | Zhang, B.,Chen, J.,Wang, X.,Wu, AM.,Luo, JX.,...&Yang, H.(2009).EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR.MODERN PHYSICS LETTERS B,23(15),1881-1887. |
| MLA | Zhang, B,et al."EPITAXIAL LATERAL OVERGROWTH OF GaN ON SILICON-ON-INSULATOR".MODERN PHYSICS LETTERS B 23.15(2009):1881-1887. |
入库方式： OAI收割
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