Nonlinear dynamics in GaAs1-xNx diodes under terahertz radiation
文献类型：期刊论文
| 作者 | Feng, W ; Cao, JC |
| 刊名 | JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
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| 出版日期 | 2009-01-01 |
| 卷号 | 106期号:3页码:33708-33708 |
| 关键词 | SEMICONDUCTOR SUPERLATTICES SYNCHRONIZATION TRANSPORT CHAOS |
| ISSN号 | 0021-8979 |
| 通讯作者 | Cao, JC, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, State Key Lab Funct Mat Informat, 865 Changning Rd, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Applied |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-11-03 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/11087]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Feng, W,Cao, JC. Nonlinear dynamics in GaAs1-xNx diodes under terahertz radiation[J]. JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,2009,106(3):33708-33708. |
| APA | Feng, W,&Cao, JC.(2009).Nonlinear dynamics in GaAs1-xNx diodes under terahertz radiation.JOURNAL OF APPLIED PHYSICS,106(3),33708-33708. |
| MLA | Feng, W,et al."Nonlinear dynamics in GaAs1-xNx diodes under terahertz radiation".JOURNAL OF APPLIED PHYSICS 106.3(2009):33708-33708. |
入库方式： OAI收割
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