InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m
文献类型：期刊论文
| 作者 | Gu, Y ; Wang, K ; Li, YY ; Li, C ; Zhang, YG |
| 刊名 | CHINESE PHYSICS B
 |
| 出版日期 | 2010-01-01 |
| 卷号 | 19期号:7页码:77304-77304 |
| 关键词 | MOLECULAR-BEAM EPITAXY PERFORMANCE GASB MBE |
| ISSN号 | 1674-1056 |
| 通讯作者 | Zhang, YG, Chinese Acad Sci, State Key Lab Funct Mat Informat, Shanghai Inst Microsyst & Informat Technol, Shanghai 200050, Peoples R China |
| 学科主题 | Physics, Multidisciplinary |
| 收录类别 | SCI |
| 语种 | 英语 |
| 公开日期 | 2011-11-03 |
| 源URL | [http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/11117]  |
| 专题 | 上海微系统与信息技术研究所_太赫兹、微波射频技术_期刊论文 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | Gu, Y,Wang, K,Li, YY,et al. InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m[J]. CHINESE PHYSICS B,2010,19(7):77304-77304. |
| APA | Gu, Y,Wang, K,Li, YY,Li, C,&Zhang, YG.(2010).InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m.CHINESE PHYSICS B,19(7),77304-77304. |
| MLA | Gu, Y,et al."InP-based InGaAs/InAlGaAs digital alloy quantum well laser structure at 2 mu m".CHINESE PHYSICS B 19.7(2010):77304-77304. |
入库方式： OAI收割
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。