非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究
文献类型：期刊论文
| 作者 | 曹全君1; 李祖渠1; 彭银生1; 吴能友2 ; 贾立新1
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| 刊名 | 电源技术
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| 出版日期 | 2013 |
| 卷号 | 037期号:001页码:47 |
| ISSN号 | 1002-087X |
| 英文摘要 | 基于Sentaurus TCAD数值分析平台,采用非晶硅的DOS模型对禁带中缺陷态进行表征,建立a-Si：H薄膜太阳电池的二维数值模型。对P-I-N结构的非晶硅太阳电池的本征区、P型区、N区以及P/I界面的特性进行研究,得到参数与薄膜太阳电池性能之间的关系。通过电池物理和结构参数的优化,在界面处引入ZnO作为反射层,优化得到太阳电池填充因子为74.7%,AM1.5下光电转换效率为10.1%,表明采用TCAD数值仿真可有效用于非晶硅太阳电池本征参数和反射层的优化设计,提高电池转换效率。 |
| 语种 | 英语 |
| 源URL | [http://ir.giec.ac.cn/handle/344007/20649]  |
| 专题 | 中国科学院广州能源研究所 |
| 作者单位 | 1.浙江工业大学 2.中国科学院广州能源研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹全君,李祖渠,彭银生,等. 非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究[J]. 电源技术,2013,037(001):47. |
| APA | 曹全君,李祖渠,彭银生,吴能友,&贾立新.(2013).非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究.电源技术,037(001),47. |
| MLA | 曹全君,et al."非晶硅薄膜太阳电池的数值优化研究".电源技术 037.001(2013):47. |
入库方式： OAI收割
来源：广州能源研究所
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